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키옥시아, 5세대 BiCS FLASH 공개

레이어, 용량, 대역폭이 향상된 차세대 3D 플래시 메모리

[뉴스클리어 = 김황남 기자] 세계 메모리 솔루션 분야를 선도하는 키옥시아가 112층 3차원 수직 적층 구조 플래시 메모리 5세대 빅스 플래시를 성공적으로 개발했다고 지난 1월 30일 발표했다.

키옥시아는 2020년 1분기에 특정 애플리케이션을 위해 3중셀 기술 기반 512기가비트 용량의 새로운 제품 샘플을 출하할 계획이다[*1]. 신제품은 기존의 모바일 기기, 소비자 및 엔터프라이즈 SSD, 새로운 5G 네트워크, 인공지능, 자동차 기술에 의해 구현되는 신흥 애플리케이션을 포함해 다양한 적용 분야에서 지속적으로 증가하는 수요에 대응할 것이다.

키옥시아는 앞으로 새로운 5세대 공정기술을 1테라비트 TLC 및 1.33테라비트 4중셀 소자 등 더 큰 용량의 제품에도 적용할 계획이다.

키옥시아의 혁신적인 112층 적층 공정 기술은 첨단 회로 및 제조 공정 기술과 결합해 셀어레이 밀도를 96층 적층 공정에 비해 약 20% 향상했다. 새로운 기술은 비트당 비용을 절감하고 실리콘 웨어퍼 당 생성되는 메모리 용량을 늘려준다. 또한 인터페이스 속도를 50% 향상시키고 우월한 프로그래밍 성능 및 더 짧아진 읽기 대기시간을 제공한다.

2007년 세계 최초로 프로토타입 3D 플래시 메모리 기술을 발표[2]한 이후 키옥시아는 지속적으로 3D 플래시 메모리 발전을 주도해 왔으며 소형화 및 대용량을 원하는 업계 수요를 충족하기 위해 빅스 플래시(BiCS FLASH) 개발에 주력했다.

5세대 빅스 플래시는 제조 파트너 웨스턴 디지털과 공동 개발했다. 제품은 키옥시아의 욧카이치 공장 및 새롭게 설립된 기타카미 공장에서 생산된다.
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